光催化氧化法除臭原理

光催化氧化法采用催化劑可以加速液相氧化分解惡臭物的速率。

　　利用二氧化釹作為催化劑的光催化氧化法對惡臭有較好的去除作用。在近20年的研究 過程中發現光催化技術直接用空氣中的02作氧化劑，反應條件溫和（常溫、常壓），對幾 乎所有污染物均具有凈化能力。常見的光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如TiC)2、ZnO、 ZnS、CdS及PbS等。

　　但由于光腐蝕和化學腐蝕的原因，實用性較好的有TiC)2 *ZnO，其 中丁102使用最為廣泛。Ti02的綜合性能最好，其光催化活性高（高于ZnO)，化學性質穩 定，氧化還原性強，難溶，無毒且成本低，是研究及應用最廣泛的單一化合物光催化劑。半 導體光催化作用的本質是在光電轉換中進行氧化還原反應。根據半導體的電子結構，當其吸 收一個能量不小于其帶隙能（?g)的光子時，電子（e_)會從充滿的價帶躍遷到空的導帶， 而在價帶留下帶正電的空穴（h+)。價帶空穴具有強氧化性，而導帶電子具有強還原性，它 們可以直接與反應物作用，還可以與吸附在催化劑上的其他電子供體和受體反應。例如空穴 可以使H20氧化，電子使空氣中的02還原，生成H2()2、.OH基團和Hoy,這些基團 氧化能力都很強，能有效地將惡臭污染物氧化，最終將其分解為co2、H20等無機小分子， 達到消除惡臭的目的。